Laboratorium Powierzchni i Nanostruktur

System UHV I:

STM

 

 

System przeznaczony jest do badań warstw epitaksjalnych na monokrystalicznych podłożach i wyposażony jest w:
- układ do epitaksji z wiązki molekularnej (MBE)
- spektrometr elektronów Auger'a (AES)
- dyfraktometr elektronów niskoenergetycznych (LEED)
- układ do pomiarów termoprogramowanej desorpcji (TPD)
- skaningowy mikroskop tunelowy (STM)
- spektrometr Mössbauera elektronów konwersji (CEMS)
Spektrometr mössbauerowski jest układem unikalnym na skalę światową, pozwalającym na pomiary in situ próbek zawierających żelazo i cynę.
próżnia bazowa < 1*10-10 mbar


System UHV II:

System wielokomorowy




Aparatura przeznaczona jest do badań powierzchni ciał stałych litych i proszkowych w warunkach ultra wysokiej próżni (UHV).
Obecnie dostępne są następujące techniki preparacyjne i pomiarowe:
- układ do epitaksji z wiązki molekularnej (MBE)
- spektroskopia fotoelektronów (XPS);
- mikroskopia ze skanującą sondą (SPM:STM/AFM);
- spektroskopia jonów rozproszonych (ISS);
- dyfrakcja niskoenergetycznych elektronów (LEED);
- temperaturowo programowalna desorpcja (TPD);
- chłodzenie/grzanie próbek w zakresie 100 K - 2000 K;
- łupanie próbek (także monokrystalicznych);
- bombardowanie i trawienie jonowe;
- wysokociśnieniowy reaktor katalityczny;
próżnia bazowa < 1*10-10 mbar


Mikroskop SPE-PEEM:

Mikroskop SPE-PEEM

 




Mikroskop SPE-PEEM (Spectroscopic Photoemission Electron Microscope) jest spektroskopowym fotoemisyjnym mikroskopem elektronowym, pracującym w warunkach UHV, przeznaczonym do obrazowania nanostruktur powierzchniowych w mezoskali, w czasie rzeczywistym, w zakresie temperatur od -180 do 1200oC.
Mikroskop wyposażony jest w analizator energii. Obecnie zainstalowany jest w Narodowym Centrum Promieniowania Synchrotronowego SOLARIS. Tryby pracy z promieniowaniem synchrotronowym:
• obrazowanie spektroskopowe
-z kontrastem chemicznym w oparciu o spektroskopie XPS oraz XAS (X-ray Photoemission Spectroscopy, X-ray-Absorption spectroscopy)
-z kontrastem magnetycznym w oparciu o efekty XMCD oraz XMLD (X-ray Magnetic Circular Dichroism, X-ray Magnetic Linear Dichroism)
• mikro-spektroskopie: μ-XPS, μ-XAS
• mikro-dyfrakcja fotoelektronów
W mikroskopie można mierzyć próbki przygotowane zarówno ex-situ jak i in-situ.
Mikroskop jest wyposażony w komorę preparacyjną zawierającą:
• układ do epitaksji z wiązki molekularnej (MBE)
• spektrometr elektronów Auger’a (AES)
• dyfraktometr elektronów niskoenergetycznych (LEED)
• analizator gazów resztkowych (RGA)
• działo jonowe
• system dozowania gazów


Mikroskop LEEM:

Mikroskop LEEM

 




Mikroskop LEEM (Low Energy Electron Microscope) jest mikroskopem pracującym na elektronach niskoenergetycznych w warunkach UHV, przeznaczonym do obrazowania nanostruktur powierzchniowych w mezoskali w czasie rzeczywistym w zakresie temperatur od -180 do 1200oC. Mikroskop wyposażony jest w analizator energii oraz korektor aberracji.
Tryby pracy:
• obrazowanie
-z kontrastem strukturalnym w jasnym i ciemnym polu
-obrazowanie MEM (Mirror Electron Microscopy)
• mikro-dyfrakcja elektronów niskoenergetycznych (u-LEED) , I(V)
• tryb fotoemisyjny z lampą rtęciową (PEEM)
W mikroskopie można mierzyć próbki przygotowane zarówno ex-situ jak i in-situ.
Mikroskop jest wyposażony w komorę preparacyjną zawierającą:
• układ do epitaksji z wiązki molekularnej (MBE)
• spektrometr elektronów Auger’a (AES)
• dyfraktometr elektronów niskoenergetycznych (LEED)
• analizator gazów resztkowych (RGA)
• działo jonowe
• system dozowania gazów